Analyse der strukturellen und elektronischen Eigenschaften von Supernetzwerken

Diese Arbeit befasst sich mit der Untersuchung von Quantenfilm-Übergittern auf Basis von II/VI-Halbleitermaterialien (CdTe)<sub>n</sub>/(HgTe)<sub>n</sub>. Diese Heterostrukturen weisen interessante strukturelle und elektronische Eigenschaften auf.Die lineare Muffin-Tin-Orbital-Methode (FP-LMTO) basierend auf der Dichtefunktionaltheorie (DFT) wurde verwendet. DFT ist eine der Ab-initio-Methoden. Die Austausch- und Korrelationsenergien werden mithilfe der generalisierten Gradientennäherung (GGA) beschrieben. Die Struktureigenschaften von CdTe- und HgTe-Verbindungen sowie ihrer (CdTe)<sub>n</sub>/(HgTe)<sub>n</sub>-Übergitter wurden für Konfigurationen (n = 1 bis 2) in der Zinkblende-Phase berechnet. Zu den wichtigsten Ergebnissen zählt dass der Parameter a<sub>22</sub> doppelt so groß ist wie a<sub>11</sub>.Die berechneten Struktureigenschaften der CdTe- und HgTe-Verbindungen stimmen gut mit verfügbaren experimentellen und theoretischen Daten überein.Anhand der elektronischen Eigenschaften lässt sich feststellen dass die Materialien CdTeet und HgTeet sowie deren Übergitter einen direkten Bandabstand aufweisen.