Badanie optymalnej konstrukcji urządzeń rekonfigurowalnych w nanoskali

Celem projektowania SiNWFET z wykorzystaniem podwójnego spaceru k jest zmniejszenie SCE i zwiększenie stosunku prądu włączenia do prądu wyłączenia. Proponowane urządzenie skutecznie łączy różne mechanizmy obniżania subthreshold swing (SS). Dzięki zastosowaniu spacerów i złącza Schottky'ego uzyskujemy bardziej wydajny system który poprawia parametry konstrukcyjne urządzenia takie jak gęstość elektryczna potencjał i rezystancja. Wyniki naszych symulacji pokazują że chociaż przekładka o wysokim współczynniku κ poprawia wydajność urządzenia taką jak ION S/S to wydajność urządzenia uległa poprawie i zmniejszyły się straty. W istniejącym SiNWFET zmniejszenie grubości tlenku bramki nie jest dobrym pomysłem ponieważ powoduje to zmniejszenie stosunku prądu włączenia do prądu wyłączenia chociaż S/S pozostaje w większości niezmienione. W normalnym FET bez przekładki ma on wysoki prąd wyłączenia i zwiększony efekt krótkiego kanału. W istniejącym urządzeniu prąd wyłączenia jest większy a wydajność również zmniejszona. Przegląd synteza i przeprowadzenie analizy literatury są rzeczywistymi miernikami standardowej lub podyplomowej próby przeglądu literatury. Dobrze zorganizowany i sformułowany przegląd najlepiej pokaże wkład i ramy dobrej metodologii.