Os óxidos condutores transparentes (TCOs) que combinam transparência ótica e condutividade eléctrica são essenciais para as tecnologias fotovoltaicas de película fina. Este trabalho explora a síntese de filmes finos de ZnO não dopados e dopados (Li V Gd) por pirólise química por pulverização com vista à sua integração em junções PN. A tomografia por sonda atómica (APT) revelou uma distribuição homogénea de Li. As análises Raman FTIR SEM EDX e XPS confirmam a estrutura e a composição dos filmes. As películas dopadas com vanádio apresentam uma estrutura wurtzite boa transparência (400-1200 nm) um bandgap de 318-326 eV e uma microdureza melhorada. A dopagem com gadolínio modifica a morfologia e mantém uma transmissão ótica de 60-80% com um bandgap de 324-326 eV. Finalmente as heterojunções n-ZnO/p-Si produzidas apresentam desempenhos promissores confirmando o interesse das camadas para aplicações fotovoltaicas e optoelectrónicas.
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