Charakterisierung der Kapazität bis zur Resonanzfrequenzverschiebung und chaotisches Verhalten des Dünnschichtenkondensators PZT(30/70)
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Diplomarbeit aus dem Jahr 2009 im Fachbereich Physik - Experimentalphysik Note: 12 Martin-Luther-Universität Halle-Wittenberg (Physik) Veranstaltung: 2004-2009 Sprache: Deutsch Abstract: Kapitel 1EinleitungDer moderne Lebensbedarf der Menschen erfordert viele interessante Beiträge zur Forschung und Entwicklung von elektrokeramischen Werkstoffen. Neben elektrischen Eigenschaften besitzen einige Materialien auch noch besondere Eigenschaften wie Piezoelektrizität oder Ferroelektrizität. Mit neuen und modernen Technologien können die neuartigen Bauelemente im mikroelektronischen bis nanoelektrischen Bereich gebaut werden.Die ferroischen Materialien besitzen hohe bis sehr hohe relative Dielektrizitätskonstanten (?r) im Bereich zwischen 100 und 100.000 weshalb sie als Material für Keramikkondensatoren mit hoher Volumenkapazität verwendet werden. Normalerweise ersetzen sie zunehmend die Keramikkondensatoren mit einem Widerstand (R) und einem Spule (L). Dabei haben sie allerdings Nachteile z.B. die starke Temperaturabhängigkeit und die hohen dielektrischen Verlustfaktoren. Mit hohen Dielektrizitätskonstanten werden sie auch in der Halbleitertechnologie interessant wo für kleinere Speicherschaltkreise (RAM) hohe Kapazitäten auf engstem Raum benötigt werden. Der Hauptvorteil bei der Verwendung von sogenannten FeRAM (ferroelektrischen RAM) ist dass diese ihren Ladungszustand im Vergleich zu derzeit (2008) hauptsächlich eingesetzten DRAMs quasi nicht verlieren. Der Aufbau einer DRAM-Zelle besteht aus einem Kondensator und einem Transistor. Die In-formation wird als elektrische Ladung im Kondensator gespeichert. Jede Speicherzelle speichert ein Bit.Ein Bit von diesem herkömmlichen FeRAM besteht aus einem Kondensator und aus einem Transistor welches einen ferroelektrischen Film anstelle eines isolierenden Films des Gatters des einzelnen Feldeffekttransistors benutzt. Der Bereich der für eine Einzelzelle erforderlich ist ist lediglich der Raum der durch de
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