Composants pour la génération et la détection d''impulsions térahertz

Le domaine de fréquences térahertz fait la liaison entre le monde des transistors et des lasers. Malgré les nombreuses applications possibles il n''existe pas à l''heure actuelle de source térahertz compacte fonctionnant à température ambiante. De même pour la détection d''impulsions térahertz il n''existe pas vraiment de systèmes satisfaisants pour des applications en télécommunication. Nous avons étudié et caractérisé la croissance du GaAsSb épitaxié à basse température afin d''obtenir un matériau résistif à temps de vie des porteurs court pour l''élaboration d''antennes photocondutrices et pour la génération d''impulsions térahertz. En complément nous avons également réalisé des photodiodes à transport unipolaire en GaAsSb intégrées monolithiquement avec une antenne térahertz large bande. Pour la détection d''impulsions térahertz nous avons conçu et simulé un monostable à base de diode à effet tunnel résonnant.