Controllo dell'invecchiamento dei transistor di potenza

Questo libro presenta uno studio sperimentale approfondito sul comportamento dei transistor SiC JFET per applicazioni aerospaziali complesse. Viene descritta una metodologia completa che comprende la progettazione di un banco di prova automatizzato utilizzando LabView test di robustezza per determinare l'energia critica e test di invecchiamento accelerato per monitorare i cambiamenti dei parametri elettrici. I risultati evidenziano indicatori di degrado affidabili e aprono interessanti prospettive per la progettazione di sistemi elettronici più resistenti in ambienti estremi.