Crescimento e caraterização de cristais

O crescimento de um semicondutor sobre outro conhecido como processo de heteroepitaxia desenvolveu a produção de uma vasta gama dos chamados dispositivos heteroepitaxiais tais como díodos emissores de luz de alto brilho lasers e transístores de alta frequência. O desenvolvimento de dispositivos que utilizam outros materiais baseia-se na escolha do substrato e é representado pela combinação camada epitaxial/substrato. Esta combinação utilizando o processo de crescimento exige que se realize ao máximo a compatibilidade química e cristalográfica na qual a orientação cristalográfica da camada é exatamente determinada pelo cristal do substrato. A estrutura da superfície do cristal do substrato pode ter um efeito importante nas propriedades do cristal epitaxial. Por outro lado a homoepitaxia é outro processo diferente da heteroepitaxia se o substrato e a camada tiverem a mesma composição química falamos de homoepitaxia como GaAs/GaAs e falamos de heteroepitaxia se a camada/substrato tiverem composições químicas diferentes como InP/GaAs. Estes materiais são utilizados para produzir dispositivos LED de alta qualidade e transístores de elevada mobilidade.