Crescita e caratterizzazione dei cristalli

La crescita di un semiconduttore su un altro noto come processo di eteroepitassi ha sviluppato la produzione di un'ampia gamma di dispositivi cosiddetti eteroepitassiali come diodi ad alta luminosità laser e transistor ad alta frequenza. Lo sviluppo di dispositivi che utilizzano altri materiali si basa sulla scelta del substrato ed è rappresentato dalla combinazione strato epitassiale/substrato. Questa combinazione utilizzando il processo di crescita richiede la realizzazione della massima compatibilità chimica e cristallografica in cui l'orientamento cristallografico dello strato è esattamente determinato dal cristallo del substrato. La struttura superficiale del cristallo del substrato può avere un effetto importante sulle proprietà del cristallo epitassiale. D'altra parte l'omoepitassia è un altro processo che si differenzia dall'eteroepitassia: se il substrato e lo strato hanno la stessa composizione chimica si parla di omoepitassia come nel caso di GaAs/GaAs e si parla di eteroepitassia se lo strato/substrato hanno una composizione chimica diversa come nel caso di InP/GaAs. Questi materiali sono utilizzati per produrre LED di alta qualità e transistor ad alta mobilità.