Diese Studie berichtet über das Wachstum von Zinnsulfid-Dünnfilmen unter Verwendung einer kostengünstigen chemischen Badabscheidungstechnik. Es ist so wichtig die Entwicklung von Dünnfilmen zu kontrollieren. Es wurden verschiedene Analysen durchgeführt wie z. B.: XRD SEM EDS AFM Spektrophotometrie und TSC. All diese Analysen ermöglichten es uns die physikalischen Eigenschaften von SnS-Dünnfilmen für Solarzellen zu verbessern. In diesem Zusammenhang haben wir Zinnsulfid-Dünnschichten entwickelt die als Absorbermaterial in Photovoltaikgeräten verwendet werden. Zu diesem Zweck wurden verschiedene Dotierungen wie Eisen Silber und Gallium sowie ein Glühen in einer kontrollierten Atmosphäre vorgenommen um die Leitfähigkeit dieser Dünnschichten zu erhöhen. Die Dotierung erfolgte während des Wachstumsprozesses durch Zugabe einer entsprechenden Konzentration der wässrigen Lösungen die Fe2+- Ag2+- und Ga2+-Ionen enthielten. Die physikalischen Eigenschaften wurden durch XRD AFM SEM und TSC untersucht. Später wurde festgestellt dass die dotierten SnS-Dünnschichten nicht zu einer Verringerung des spezifischen Widerstands führen. Daher werden derzeit weitere physikalische Charakterisierungen durchgeführt um die Eigenschaften der Dünnschichten und insbesondere den spezifischen Widerstand durch eine geeignete Wärmebehandlung unter kontrollierter Atmosphäre zu optimieren.
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