Estudo das propriedades optoelectrónicas das ligas HfxSi1-xO2

Neste trabalho estudámos a estabilidade dinâmica as propriedades estruturais eletrónicas e termoelétricas das ligas do tipo HfxSi1-xO2 utilizando o método das ondas planas aumentadas linearizadas com um potencial total (FP-LAPW) no âmbito da teoria da funcional da densidade (DFT) implementada no código Wien2k. O potencial de troca e correlação foi tratado por diferentes aproximações como GGA. Os resultados eletrónicos que obtivemos mostraram que o HfSi3O8 possui um caráter semicondutor com um gap direto igual a 3909 eV utilizando a aproximação GGA. Para os compostos HfSiO4 e Hf3SiO8 os resultados do estudo da estrutura de banda mostram que ambos os compostos são semicondutores com uma lacuna indireta com valores de previsão iguais a 72 eV e 52 eV para HfSiO4 e Hf3SiO8 respetivamente. As propriedades termoelétricas e a estabilidade dinâmica obtidas indicam que estes compostos são muito rígidos indeformáveis e altamente ordenados.