Étudier les caractéristiques de la nanostructure de silicium préparée par PEC

Dans ce travail une couche de silicium poreux (PS) nanostructurée est fabriquée par (PEC) à l'aide d'une diode laser de 650 nm à différentes densités de puissance d'éclairage pour un substrat de silicium de type n d'une résistivité (10 Ω.cm) et HF de 485 % et éthanol (99 %) (1:1). Les propriétés morphologiques optiques et électriques sont étudiées. Ces caractéristiques sont étudiées à l'aide de notre modèle mathématique qui représente les propriétés électriques. Les propriétés électriques de la couche de silicium poreux sont classées en fonction des propriétés structurelles et nous prouvons que les propriétés électriques dépendent de la permittivité relative telle que classée. On observe à faible densité de puissance que la caractéristique J-v semble non redressante et que le silicium poreux se comporte comme un contact ohmique tandis qu'à forte densité de puissance laser qui produit une jonction redressante il se comporte comme un contact ohmique et à temps de gravure élevé comme une jonction (Schottky) alors qu'à (200 mW/cm2) la jonction se comporte comme une diode (hétérojonction).