Herstellung von variablen Halbleitermischungen

Das Buch widmet sich der Herstellung der neuen Varison-Halbleiter (Ge2)1-x(ZnSe)x (GaAs)1-x(ZnSe)x (GaAs)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y Si1-xGex-Mischkristalle und Ge¬- (Ge2)1-x(ZnSe)x GaAs - (Ge2)1-x(ZnSe)x Ge¬- (GaAs)1-x(ZnSe)x GaAs ¬- (GaAs)1-x(ZnSe)x Ge - (GaAs)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y GaAs - (GaAs)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y Si-Si1-xGex -(Ge2)1-x(GaAs)x Strukturen mit spezifischen photovoltaischen und elektrophysikalischen Eigenschaften auf der Basis von Elementen der vierten Gruppe des Periodensystems und chemischen Verbindungen der Klasse A3 B5 A2 B6. Mit Hilfe von theoretischen Formeln wird vorhergesagt dass ihre Paare kristalline perfekte Mischkristalle bilden.