Niniejsza książka przedstawia dogłębne badania eksperymentalne zachowania tranzystorów SiC JFET w wymagających zastosowaniach lotniczych. Opisano kompletną metodologię w tym projekt zautomatyzowanego stanowiska testowego z wykorzystaniem LabView testy wytrzymałościowe w celu określenia energii krytycznej oraz testy przyspieszonego starzenia w celu monitorowania zmian parametrów elektrycznych. Uzyskane wyniki podkreślają wiarygodne wskaźniki degradacji i otwierają interesujące perspektywy projektowania bardziej odpornych systemów elektronicznych w ekstremalnych środowiskach.