Melhoria do desempenho da SRAM FINFET utilizando diferentes materiais de porta

Este livro descreve o conceito de conceção de SRAM em tecnologias FinFET utilizando caraterísticas únicas de dispositivos não planares de dupla porta. Será explorado o espaço de parâmetros necessário para a conceção de FinFETs. Serão apresentadas várias técnicas de conceção de SRAM que exploram as vantagens das configurações controladas por porta ligada e porta independente. O desempenho a potência e a estabilidade da SRAM para dispositivos FinFET são comparados com os dispositivos CMOS planares convencionais. Também será apresentada a modelação da variabilidade dos FinFETs através de estatísticas. O dispositivo MOSFET foi comparado com o poli-silício e o molibdénio como material de porta e o dispositivo FinFET foi concebido com diferentes materiais de porta como o ouro o tungsténio o tântalo e o molibdénio e os resultados foram comparados com os dispositivos com material de porta de poli-silício.