Modelação de dispositivos e caraterização de dispositivos híbridos

Nos circuitos electrónicos de baixa potência e alta velocidade são necessários dispositivos com caraterísticas mais acentuadas. A velocidade do dispositivo aumenta com caraterísticas IV mais acentuadas e a baixa potência é conseguida através do funcionamento do dispositivo na região sublimiar. A medição de correntes na região do sublimiar é um grande desafio. Para conseguir uma comutação elevada é necessário propor um novo dispositivo com as vantagens combinadas do FinFET e do TFET. Esta tese propõe um dispositivo híbrido com um valor SS < 25 mV/Dec. O Synopsis Centaurus TCAD é utilizado nesta tese para a modelação e caraterização do dispositivo.