Modellazione e caratterizzazione di dispositivi ibridi

Nei circuiti elettronici a bassa potenza e alta velocità sono richiesti dispositivi con caratteristiche più ripide. La velocità del dispositivo aumenta con caratteristiche IV più ripide e la bassa potenza si ottiene facendo funzionare il dispositivo nella regione di sottosoglia. La misura delle correnti nella regione di sottosoglia rappresenta una grande sfida. Per ottenere una commutazione elevata è necessario proporre un nuovo dispositivo con i vantaggi combinati di FinFET e TFET. Questa tesi propone un dispositivo ibrido con un valore SS < 25 mV/Dec. In questa tesi è stato utilizzato il TCAD Centaurus per la modellazione e la caratterizzazione del dispositivo.