Optimisation des paramètres électriques (CNTFET)

Dans le secteur de l'électronique la demande d'amélioration technologique n'a cessé d'augmenter. Jusqu'à présent le silicium était le matériau le plus populaire pour répondre à la demande actuelle. Cependant le silicium a ses propres limites ; Les circuits intégrés à base de silicium et la mise à l'échelle de la conception des MOSFET au silicium sont confrontés à des problèmes tels que l'effet tunnel l'impact sur l'épaisseur de l'oxyde de grille etc. ce qui a incité le développement de matériaux alternatifs. L'intérêt académique croissant pour les nanotubes de carbone (NTC) en tant que nouveau type possible de matériau électronique a entraîné des progrès substantiels dans la physique des NTC y compris les propriétés de transport d'électrons balistiques et non balistiques. Le transport à faible polarisation dans un nanotube peut être presque balistique sur des distances de plusieurs centaines de nanomètres. Des modèles étendus au niveau du circuit capables de capturer les phénomènes de transport d'électrons balistiques et non balistiques notamment les effets élastiques de diffusion de phonons de déformation et de tunneling ont été créés pour les transistors CNT non balistiques. L'effet de l'épaisseur de l'oxyde de grille sur les performances des CNTFET non balistiques a été étudié dans notre section de résultats.