Optymalizacja parametrów elektrycznych (CNTFET)

W sektorze elektroniki zapotrzebowanie na doskonalenie technologiczne stale rośnie. Do tej pory najpopularniejszym materiałem spełniającym obecne wymagania był krzem. Jednakże krzem ma swój własny zestaw ograniczeń; krzemowe układy scalone i skalowanie konstrukcji krzemowych MOSFET-ów stawiają czoła takim problemom jak efekt tunelowania wpływ grubości tlenku bramki itd. co doprowadziło do opracowania materiałów alternatywnych. Rosnące zainteresowanie naukowców nanorurkami węglowymi (CNT) jako możliwym nowym typem materiału elektronicznego zaowocowało znacznym postępem w fizyce CNT w tym balistycznych i niebalistycznych właściwościach transportu elektronów. Transport o niskim odchyleniu w nanorurce może być benearyczny balistyczny na odległości kilkuset nanometrów. Dla niebalistycznych tranzystorów CNT stworzono rozszerzone modele na poziomie obwodu które mogą wychwytywać zarówno balistyczne jak i niebalistyczne zjawiska transportu elektronów w tym efekty sprężystości rozpraszania fononów odkształceń i tunelowania. W naszej sekcji wyników zbadaliśmy wpływ grubości tlenku bramki na działanie niebalistycznych CNTFET.