Projekt układu scalonego analogowego front-endu CMOS UHF RFID

Zastosowanie identyfikacji radiowej (RFID) w paśmie ultra wysokich częstotliwości (UHF) zyskuje na popularności od czasu ratyfikacji protokołu EPC Class 1 Gen 2 (EPC C1G2 znanego również jako ISO 18000-6C). Ograniczona dostępność diod barierowych Schottky'ego (SBD) pobudziła badania nad alternatywnymi rozwiązaniami obwodów do produkcji chipów RFID UHF o porównywalnej wydajności przy użyciu typowych procesów CMOS. Analogowy front end RFID UHF składa się z czterech elementów: prostownika UHF RF-DC referencji napięcia i regulatora modulatora i demodulatora. W niniejszej publikacji zidentyfikowano tranzystor MOSFET z dynamicznym progiem (DTMOST) jako obiecujące urządzenie do zastosowań o bardzo niskim poborze mocy oraz zbadano topologie obwodów i metodologie projektowania wykorzystujące DTMOST dla AFE RFID UHF. Wszystkie projekty obwodów i analizy oparto na technologii CMOS 018 µm z pojedynczą warstwą polikrzemu i sześcioma warstwami metalu (1P6M) oraz potrójną studnią. Porównano i zestawiono ze sobą wzrost wydajności zużycie energii straty powierzchni i kwestie projektowe związane z technikami DTMOST w odniesieniu do tradycyjnych komórek.