Propriétés luminescentes du silicium et de l'oxyde stanneux

Cet ouvrage donne un aperçu des études sur les propriétés physiques chimiques et luminescentes des phosphores d'oxyde du groupe IV A purs et dopés aux terres rares. Les oxydes pris en considération dans le présent travail sont le SiO2 et le SnO2. Le SiO2 est connu depuis longtemps comme un hôte pratique pour les terres rares et est largement utilisé pour la fabrication de lasers à état solide tandis que le SnO2 est un semi-conducteur de type n à large bande interdite de 25 à 3 eV qui cristallise dans la structure rutile (structure tétragonale). Le SnO2 appartient à une classe particulière de semi-conducteurs qui ont des bandes interdites directes mais qui sont interdits de dipôle en raison de la symétrie particulière de leur fonction d'onde. Dans le présent travail des phosphores à base d'oxydes du groupe IV A (SiO2 et SnO2) ont été préparés par la méthode sol-gel mais les nanophosphores purs du groupe IV A ont une faible intensité luminescente. Elle est multipliée par plusieurs fois en les dopant avec des éléments de terres rares. Le dopage a donc été réalisé à l'aide d'éléments de terres rares (Ce3+ Eu3+ et Dy3+). Ils sont incorporés simultanément dans des matrices de silice et d'étain par des procédés sol-gel et sont ensuite caractérisés par des techniques de caractérisation générale et de luminescence.