Rozpylanie kryształów PbTe i ponowne osadzanie rozpylonych cząstek

Rozważono zjawisko rozpylania bocznych powierzchni kryształów PbTe wyhodowanych ze stopu metodą Bridgmana za pomocą plazmy argonowej w warunkach wtórnej neutralnej spektrometrii masowej. Przedstawiono nowe zjawiska - aperiodyczne oscylacje szybkości rozpylania Pb i Te ogromną przewagę rozpylania Te osiągającą ponad dwa rzędy wielkości na początku procesu rozpylania oraz znaczny nadmiar zintegrowanej wydajności rozpylania Te w stosunku do Pb w przypadku długotrwałego rozpylania plazmą o niskiej energii (50-160 eV). Wykazano korelacje między cechami rozpylania powierzchni kryształów PbTe a procesami ponownego osadzania się rozpylanych cząstek na powierzchni rozpylającej. Stwierdzono że tworzenie się i ponowne rozpylanie subkrytycznych jąder nowej fazy prowadzi do oscylacji wydajności rozpylania Pb i Te. Tworzenie się ponownie napylanych struktur powierzchniowych o rozmiarach przekraczających rozmiary krytyczne prowadzi do zmian średnich wielkości wydajności napylania Pb i Te. Osobliwości stanów naładowania międzycząsteczkowego Pb i Te w matrycy kryształu PbTe powodują ogromne preferencyjne napylanie Te przez wiązki jonów Ar+ o niskiej energii.