Untersuchung der Oberflächenschicht von Silizium mit Indiumbeschichtung

Die Arbeit bezieht sich auf den Bereich der Nanotechnologie der sich in den letzten Jahrzehnten rasant entwickelt hat. Viele Aspekte sind noch unklar und erfordern weitere Untersuchungen. Die vorliegende Arbeit enthält eine Analyse der Gesetzmäßigkeiten der Bildung von Rekonstruktionselementen und Clusterstrukturen auf den Oberflächen Si(111) und Si(557). Es wurden die Besonderheiten der Entstehung einer 7x7-Rekonstruktion auf der vicinalen Oberfläche Si(557) untersucht. Es wurde festgestellt dass die Bildung von Clustern auf der Oberfläche von Si(557) im Gegensatz zur Oberfläche von Si(111) nicht sofort mit Beginn der Abscheidung beginnt. Die Verzögerung beträgt bis zu 20 % der Gesamtzeit der Monoschichtabscheidung. Während dieser Verzögerung lagern sich Indiumatome auf den Stufen ab und bilden Bereiche mit unstrukturierter Indiumbedeckung. Es wurde versucht die Ursache für die Bildung solch komplexer Rekonstruktionen wie 7x7 oder 5x5 zu erklären. Es wurde eine Version zur Erstellung der STMS-Methode formuliert - das gleichzeitige Scannen des Oberflächenreliefs und die Erfassung spektroskopischer Abhängigkeiten.